si2n4是什么材质（si3n4晶体结构）
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今天给各位分享si2n4是什么材质的知识，其中也会对si3n4晶体结构进行解释，现在开始吧！
1Cr20Ni14Si2是什么材料？
1Cr20Ni14Si2(2014不锈钢)
具有较高的高温强度及抗氧化性，对含硫气氛敏感，在600C----800C时有脆化倾向，适用于制作炉用构件。抗拉强度：590MPa、硬度：≤187
化学成分：
C:≤0.2
Si:≤1.5～2.5
Mn:≤1.5
S:≤0.03
P:≤0.035
Cr:≤19～22
Ni:≤12～15
力学性能：
抗拉强度b(MPa)：≥590
条件屈服强度0.2(MPa)：≥295
伸长率5(%)：≥35
断面收缩率(%)：≥50
硬度：≤187HB
热处理规范及金相组织：
热处理规范：固溶1080～1130℃快冷。
金相组织：组织特征为奥氏体型。
交货状态：一般以热处理规范状态交货，其热处理种类在合同中注明；未注明者，按不热处理状态交货。
半导体光刻工艺之刻蚀——湿法腐蚀
在湿法腐蚀的过程中，通过使用特定的熔液与需要腐蚀的薄膜材料进行化学反应，进而除去没有被光刻胶覆盖区域的薄膜。
湿法腐蚀的优点是工艺简单，但是在湿法腐蚀中所进行的化学反应没有特定方向，所以会形成各向同性的腐蚀效果。各向同性是湿法腐蚀固有的特点，也可以说是湿法腐蚀的缺点。湿法腐蚀通常还会使位于光刻胶边缘下边的薄膜也被腐蚀，这也会使腐蚀后的线条宽度难以控制，选择合适的腐蚀速度，可以减小对光刻胶边缘下边薄膜的腐蚀。
在进行湿法腐蚀的过程中，熔液里的反应剂与被腐蚀薄膜的表面分子发生化学反应，生成各种反应产物。这些反应产物应该是气体，或者是能溶于腐蚀液中的物质。这样，这些反应产物就不会再沉积到被腐蚀的薄膜上。控制湿法腐蚀的主要参数包括：腐蚀溶液的浓度、腐蚀的时间、反应温度以及溶液的搅拌方式等。由于湿法腐蚀是通过化学反应实现的，所以腐蚀液的浓度越高，或者反应温度越高，薄膜被腐蚀的速率也就越快。此外，湿法腐蚀跌反应通常会伴有放热和放气。反应放热会造成局部反应温度的升高，使反应速度加快；反应速率加快又会加剧反应放热，使腐蚀反应处于不受控制的恶性循环中，其结果将导致腐蚀的图形不能满足要求。反应放气产生的气泡会隔绝局部的薄膜与腐蚀的接触，造成局部的反应停止，形成局部的缺陷。因此，在湿法腐蚀中需要进行搅拌。此外，适当的搅拌（例如使用超声波震荡），还可以在一定程度上减轻对光刻胶下方薄膜的腐蚀。
目前常用的湿法腐蚀的材料包括：Si，SiO2和Si2N4等，下面我们将对此进行简要讨论。
一、Si的湿法腐蚀
在湿法腐蚀Si的各种方法中，大多数都是采用强氧化剂对Si进行氧化，然后利用HF酸与SiO2反应来去除SiO2，从而达到对硅的腐蚀目的。最常用的腐蚀溶剂是硝酸与氢氟酸和水（或醋酸）的混合液，化学反应方程式为
Si+HNO3+6HF——H2SiF4+HNO2+H2O+H2
其中，反应生成的H2SiF4可溶于水。在腐蚀液中，水是作为稀释剂，但最好用醋酸（CH3COOH），因为醋酸可以抑制硝酸的分解，从而使硝酸的浓度维持在较高的水平。对于HF-HNO3混合的腐蚀液，当HF的浓度高而HNO3的浓度低时，Si膜腐蚀的速率由HNO3浓度决定（即Si的腐蚀速率基本上与HF浓度无关），因为这时有足量的HF去溶解反应中生成的SiO2.当HF的浓度低而HNO3浓度高时，Si腐蚀的速率取决于HF的浓度（即取决于HF溶解反应生成的SiO2的能力）。
对Si的湿法腐蚀还可以用KOH的水溶液与异丙醇（IPA）相混合来进行。对于金刚石或闪锌矿结构，（111）面的原子比（100）面排的更密，因而（111）面的腐蚀速度应该比（100）面的腐蚀速率小。 采用SiO2层作为掩膜对（100）晶向的硅表面进行腐蚀，可以得到V形的沟槽结构。如果SiO2上的图形窗口足够大，或者腐蚀的时间比较短，可以形成U形的沟槽。如果被腐蚀的是（110）晶向的硅片，则会形成基本为直壁的沟槽，沟槽的侧壁为（111）面。这样就可以利用腐蚀速率对晶体取向的依赖关系制得尺寸为亚微米的器件结构。不过，这种湿法腐蚀的方法大多采用在微机械元件的制造上，在传统的集成电路工艺中并不多见。
二、SiO2的湿法腐蚀
SiO2的湿法腐蚀可以使用氢氟酸（HF）作为腐蚀剂，其反应方程式为：
SiO2+6HF——SiF4+2H2O+H2
在上述的反应过程中，HF不断被消耗，因此反应速率随时间的增加而降低。为了避免这种现象的发生，通常在腐蚀液中加入一定的氟化氨作为缓冲剂（形成的腐蚀液称为BHF）。氟化氨分解反应产生HF，从而维持HF的浓度。NH4F分解反应方程式为
NH4F——NH3+HF
分解反应产生的NH3以气态被排除掉。
在集成电路工艺中，除了需要对热氧化和CVD等方式得到的SiO2进行腐蚀外，还需要对磷硅玻璃（简称PSG）和硼磷硅玻璃（简称BPSG）等进行腐蚀。因为这些二氧化硅层的组成成分并不完全相同，所以HF对这些SiO2的腐蚀速率也就不完全一样。基本上以热氧化方式生成的二氧化硅层的腐蚀速率最慢。
三、Si3N4的湿法腐蚀
Si3N4也是一种常用湿法腐蚀的材料。Si3N4可以使用加热的磷酸（130-150度的H3PO4）来进行腐蚀。磷酸对Si3N4的腐蚀速率通常大于对SiO2的腐蚀速率。
16cr20Ni14Si2是什么材质
16Cr20Ni14Si2具有较高的高温强度及抗氧化性不锈钢，对含硫气氛敏感，在600C----800C时有脆化倾向，适用于制作炉用构件。
化学成分：
C:≤0.2
Si:≤1.5～2.5
Mn:≤1.5
S:≤0.03
P:≤0.035
Cr:≤19～22
Ni:≤12～15
力学性能：
抗拉强度b(MPa)：≥590
条件屈服强度0.2(MPa)：≥295
伸长率5(%)：≥35
断面收缩率(%)：≥50
硬度：≤187HB
热处理规范及金相组织：
热处理规范：
固溶1080～1130℃快冷。
金相组织：
组织特征为奥氏体型。
交货状态：
一般以热处理规范状态交货，其热处理种类在合同中注明；未注明者，按不热处理状态交货。
什么是镍合金N2,N4,N6,N8,DN
纯镍牌号：
一、概述
纯镍在许多酸性和碱性的环境中都表现出良好的耐蚀性，多被应用在还原性介质中。特别能耐碱的腐蚀,不论在高温或熔融的碱中都比较稳定，所以主要用于制碱工业。在常温下,镍在海水和yan类溶液及有机介质（如脂肪酸、酚、醇等）中ji为稳定。不耐无机酸腐蚀，在醋酸和蚁酸中也不稳定。
二、特性:
镍zui大的特点是耐碱性介质的腐蚀，如苛性钾，苛性钠等，此被广泛，应用于离子膜烧碱工艺，与大多数合金相比，镍在干燥的氟中的耐蚀性良好。镍还成功应用于常温到540℃的干燥氯气和氯化氢中。
也可应用在静止的氢氟酸溶液。具有优秀的力学性能和优良的耐腐蚀性，较高的热和电导率，低气体含量和蒸汽压力。
镍在相对较宽的温度范围内有着良好的机械性能，易于冷加工，加工特性与低碳钢相近。
三、用途：
充电电池组中的连接片、ji耳、引出片、截流片、镍氢电池，锂电池，ji耳，电动工具
组合电池、聚合物电池、动力电池、电子产业、手提电脑、手机、无绳电动工具、电动自行车
电动助力车、传呼机、MP3、数码相机及录像机、镍镉、镍氢、镍电池、组合电池及仪器仪表
电讯、电真空、特种灯泡等
四、耐腐蚀性
特别能耐碱的腐蚀,不论在高温或熔融的碱中都比较稳定，所以主要用于制碱工业。
在常温下,镍在海水和yan类溶液及有机介质（如脂肪酸、酚、醇等）中ji为稳定。不耐无
机酸腐蚀，在醋酸和蚁酸中也不稳定。
? ? ?N4/N6威尼斯对美guo牌号：N4，N6?对应的是ASME II?中的Ni201和Ni200,?即低碳纯镍和普通纯镍（即N4 ，Ni201，? N6，Ni200）。
威尼斯执行标准：N4/N6纯威尼斯生产执行标准GB/T2072-2007
威尼斯状态（维氏硬度）：硬态（Y），半硬（Y2）,1，4硬（Y4），软态（M）。
威尼斯规格：宽带：2~330mm?厚度：0.05~1mm??长度：=3000mm
威尼斯的包装、标志、运输和储存按GB88888。
威尼斯纯度：99.95%以上
威尼斯特性：具有良好的光泽、延展性、可焊性
N4，N6纯威尼斯的区别：N4，N6的区别是在于C的含量即:?分别低碳纯镍和普通纯镍
N4，N6?对应的是ASME II?中的Ni201和Ni200,?即低碳纯镍和普通纯镍
（即N4 /Ni201，? N6/Ni200）
N4 ??Ni%=99.9%, ????????C%=0.01%Max,
N6? ?Ni%=99.5%-99.6% ??C%=0.10%Max
按照GB2054-2005规定，N4和N6的区别在于：
1、化学成分，N4 C含量小于0.02%? N6 C含量小于0.15%，其余元素含量相同；
2、力学性能，在M态，N4 Rm≥350MPa，N6? Rm≥380MPa
备注：N4和N6如上所示，主要是C含量的不同，N4称为低碳纯镍，其余元素含量相同，由于N4的低碳性，适于一些特定情况下使用，所以好与客户沟通下使用环境或用途，以避免不必要的麻烦。
纯威尼斯：含镍量在99.95%以上，纯镍拥有优良的机械特性和在多种不同环境中均有较高的抗蚀功能，还拥有磁致伸缩性及磁性、高传热性、高导电性、低气体量及低蒸气压力等特点。具有良好的点焊性能，拉伸张力高，操作方便．电阻率低（笔记本电池组组合shou�。┛赏ü�50A以上电流，是动力电池组组合shou选本产品主要用于制造镍氢电池，锂电池，组合电池与电动工具，通讯信息，特灯等行业。
如何去除太阳能电池上面的那层透明物质？
指的是抗反射膜吗？材料可能是Si3N4或SiOx，比较难去除哦
Si2N4要用热磷酸去除，SiOx用HF酸去除
关于si2n4是什么材质和si3n4晶体结构的介绍到此就结束了，记得收藏关注本站。
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